Curie点で書かれた磁気抵抗メモリ

BEECH R S; ANDERSON J A; POHM A V; DAUGHTON J M

文献

J-GLOBAL ID：200902167626226977 整理番号：00A0617939

Curie点で書かれた磁気抵抗メモリ

Curie point written magnetoresistive memory.

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資料名：
巻： 87 号： 9,Pt.3 ページ： 6403-6405 発行年： 2000年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

巨大磁気抵抗(GMR)スピンバルブ膜のピン止め層に蓄積するメ...

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磁電デバイス

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