文献

J-GLOBAL ID：200902167669606676   整理番号：03A0028798

薄膜ガスセンサのガス選択性の改善に関する研究

Study on the improvement of the gas selectivity of thin-film gas sensors.

著者 (2件)： 今井秀和 (東京電機大) ,  原和裕 (東京電機大)
資料名： 電気学会ケミカルセンサ研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： CHS-02  号： 18-44  ページ： 51-54  発行年： 2002年11月27日 
JST資料番号： L2895B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体薄膜ガスセンサのセンサ膜を堆積させた基板に対して,触媒...

シソーラス用語： 金属酸化物 ,...
準シソーラス用語： 触媒作用

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分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

引用文献 (5件)：

• LOFDAHL, Mikael. Gas respose dependence on gate metal morphology of field-effect devices. Sensors and Actuators, B. 2001, 80, 183-192
• 伊藤. ガス選択性改善のためのマイクロチャネル形ガスセンサの研究. 電気学会講演論文集, 2002. 2002
• HARA, K. Control methods of the gas selectivity of thin-film gas sensors. Proc. 2^<nd> Sensor Symp, Tsukuba. Japan. May 27-28, 1982. 1982, 209-212
• HIWATARI, T. Nox Sensor Using Multi-Layered Semiconducting Thin-film. 電気学会論文誌, E. 1998, 118, 2, 136-140
• 今井. ガス選択性改善のための薄膜ガスセンサの研究. 秋季第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2002. 2002

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  ガスセンサ ,  研究