文献

J-GLOBAL ID：200902167779568214   整理番号：94A0947863

金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト

Formation of silicide at metal/silicon interfaces and low-resistivity contacts.

著者 (2件)： 財満鎮明 (名古屋大 工) ,  安田幸夫 (名古屋大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 63  号： 11  ページ： 1093-1105  発行年： 1994年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン大規模集積回路(ULSI)の極微細化とともに,オーミ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (55件)：

• DENNARD, R. H. IEEE J. Solid-State Circuits. 1974, SC-9, 256
• COWLEY, A. M. J. Appl. Phys. 1964, 36, 3212
• 長谷川英機. 応用物理. 1991, 60, 1214
• TUNG, R. T. Phys. Rev. Lett. 1984, 52, 461
• SZE, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 1981, Chap. 5

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  界面 ,  シリサイド ,  低抵抗 ,  コンタクト