高い電気抵抗率を持つ(CoFeB)-(SiO<sub>2</sub>)膜の1GHz透磁率に及ぼす膜厚効果

MUNAKATA M; YAGI M; MOTOYAMA M; SHIMADA Y; BABA M; YAMAGUCHI M; ARAI K

文献

J-GLOBAL ID：200902167832827804 整理番号：01A1014380

高い電気抵抗率を持つ(CoFeB)-(SiO₂)膜の1GHz透磁率に及ぼす膜厚効果

Thickness Effect on 1GHz Permeability of (CoFeB)-(SiO₂) Films with High Electrical Resistivity.

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資料名：
巻： 37 号： 4,Pt.1 ページ： 2258-2260 発行年： 2001年07月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1GHzで駆動するインダクタ磁気コア用の高抵抗(CoFeB)...

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金属の磁区及び磁化過程 , 磁性材料

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高い電気抵抗率を持つ(CoFeB)-(SiO2)膜の1GHz透磁率に及ぼす膜厚効果

高い電気抵抗率を持つ(CoFeB)-(SiO₂)膜の1GHz透磁率に及ぼす膜厚効果