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J-GLOBAL ID：200902167848639323   整理番号：95A1002475

GaAsにおける低密度での非平衡分布における電子-電子散乱

Electron-electron scattering in a nonequilibrium distribution at low densities in GaAs.
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著者 (3件)：
SUN K W

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(Princeton Univ., NJ, USA)

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, 
KANE M G

KANE M G について

(Princeton Univ., NJ, USA)

Princeton Univ., NJ, USA について

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LYON S A

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(Princeton Univ., NJ, USA)

Princeton Univ., NJ, USA について


資料名：
22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1995, Vol.1  (22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1995, Vol.1)

22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1995, Vol.1 について


ページ： 213-216  発行年： 1995年 
JST資料番号： K19950482  ISBN： 981-02-2978-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)
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バルクGaAsにおいて超高速レーザパルスによる生成された高度...
シソーラス用語：
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ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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分類 (1件)：
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半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

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GaAs

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非平衡

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分布

分布 について

, 
電子-電子散乱

電子-電子散乱 について


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