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J-GLOBAL ID：200902167852116653   整理番号：96A0243202

前駆体ルートペンタセン金属-絶縁膜-半導体電界効果トランジスタ

Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors.

著者 (7件)： BROWN A R (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  POMP A (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  DE LEEUW D M (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  KLAASSEN D B M (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  HAVINGA E E (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  HERWIG P (Max-Planck-Inst. Polymerforschung, Mainz, DEU) ,  MUELLEN K (Max-Planck-Inst. Polymerforschung, Mainz, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 79  号： 4  ページ： 2136-2138  発行年： 1996年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセン(ジベンゾアントラセン)を活性属としてMIS電界効...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 反転回路 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 前駆体 ,  ペンタセン ,  絶縁膜 ,  電界効果トランジスタ