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J-GLOBAL ID：200902167884327893   整理番号：93A0664233

ストレスを印加したSiO₂/Si界面のPLによる評価

Characterization of Stress applied SiO₂/Si Interfaces by Photoluminescence.

著者 (6件)： 小西智広 (広島大 工) ,  鳥元正樹 (広島大 工) ,  八百隆文 (広島大 工) ,  大島久純 (日本電装) ,  小野田邦広 (日本電装) ,  服部正 (日本電装)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 773  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： ストレス ,  印加 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  PL ,  評価