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J-GLOBAL ID:200902168079173657   整理番号:95A0629979

イオンビーム合成半導性FeSi2のTEM研究

TEM investigation of ion beam synthesized semiconducting FeSi2.
著者 (5件):
資料名:
巻: 23  号: 4/6  ページ: 215-220  発行年: 1995年05月 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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半導体の放射線による構造と物性の変化 
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