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J-GLOBAL ID：200902168079173657   整理番号：95A0629979

イオンビーム合成半導性FeSi₂のTEM研究

TEM investigation of ion beam synthesized semiconducting FeSi₂.

著者 (5件)： YANG Z (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  HOMEWOOD K P (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  REESON K J (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  FINNEY M S (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  HARRY M A (Univ. Surrey, Surrey, GBR)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 23  号： 4/6  ページ： 215-220  発行年： 1995年05月 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビーム合成で作製した半導性FeSi<sub>2</su...

シソーラス用語： 鉄合金 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンビーム ,  半導性 ,  TEM ,  研究