Si(001)上のGe成長中に歪によって駆動される二次元から三次元への転移に対する径路

VAILIONIS A; CHO B; GLASS G; DESJARDINS P; CAHILL D G; GREENE J E

文献

J-GLOBAL ID：200902168163339145 整理番号：01A0117340

Si(001)上のGe成長中に歪によって駆動される二次元から三次元への転移に対する径路

Pathway for the Strain-Driven Two-Dimensional to Three-Dimensional Transition during Growth of Ge on Si(001).

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資料名：
巻： 85 号： 17 ページ： 3672-3675 発行年： 2000年10月23日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

650°CでSi(001)上に成長させた歪んだGe相における二...

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半導体薄膜

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