1.55μmでの単一光子計数のためのInGaAs/InPフォトダイオードの性能および設計

HISKETT P A; BULLER G S; LOUDON A Y; SMITH J M; GONTIJO I; WALKER A C; TOWNSEND P D; ROBERTSON M J

文献

J-GLOBAL ID：200902168288425302 整理番号：01A0236657

1.55μmでの単一光子計数のためのInGaAs/InPフォトダイオードの性能および設計

Performance and design of InGaAs/InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 μm.

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資料名：
巻： 39 号： 36 ページ： 6818-6829 発行年： 2000年12月20日
JST資料番号： B0026B ISSN： 1559-128X CODEN： APOPAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の入射波長において,光子計数モードで動作する選択市販In...

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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 , 光導電素子

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