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J-GLOBAL ID：200902168580788327   整理番号：00A0300375

非晶質酸化インジウム及び酸化インジウムすず薄膜のアニールによる結晶化と電気特性の変化

Crystallization and electrical property change on the annealing of amorphous indium-oxide and indium-tin-oxide thin films.

著者 (2件)： MORIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  FUJITA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 359  号： 1  ページ： 61-67  発行年： 2000年01月24日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DCマグネトロンスパッタリングにより作製した酸化インジウム(...

シソーラス用語： *酸化インジウム ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  酸化インジウム ,  酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  アニール ,  結晶化 ,  電気特性