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J-GLOBAL ID：200902168670560554   整理番号：02A0824156

Si-H系古典ポテンシャル開発とSiH₄付着確率内部エネルギー依存性MD計算

著者 (3件)： 佐藤裕輔 (東芝 研開セ) ,  泉聡志 (東大 工) ,  酒井信介 (東大 工)
資料名： 化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集
巻： 35th  ページ： 11  発行年： 2002年08月18日 
JST資料番号： L0827A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ポテンシャル ,...

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分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  反応工学,反応速度論  (XE01020M)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ポテンシャル ,  開発 ,  SiH4 ,  付着確率 ,  エネルギー依存性 ,  Md ,  計算