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J-GLOBAL ID：200902168816235847   整理番号：98A0468570

Si-金属-酸化物-半導体電子トンネル陰極の価電子帯からのトンネル放出

Tunneling emission from valence band of Si-metal-oxide-semiconductor electron tunneling cathode.

著者 (7件)： IKEDA J (Nikon Corp., Tokyo, JPN) ,  YAMADA A (Nikon Corp., Tokyo, JPN) ,  OKAMOTO K (Nikon Corp., Tokyo, JPN) ,  ABE Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAHARA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIMURA H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOKOO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 16  号： 2  ページ： 818-821  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-Si及び高濃度ドープp-Si基板を用いてMOSトンネル陰...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： *陰極 ,...

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分類 (3件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  電子放出一般  (BM09010H) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  酸化物 ,  電子 ,  トンネル ,  陰極 ,  価電子帯 ,  放出