文献
J-GLOBAL ID：200902168859154689   整理番号：93A0796536

Optoelectronic Properties of Porous Silicon.

  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0796536&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0593B") }}
著者 (1件)：
KOSHIDA N

KOSHIDA N について

(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN)

Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN について


資料名：
NATO ASI Series. E. Applied Sciences  (NATO ASI Series. E. Applied Sciences)

NATO ASI Series. E. Applied Sciences について


巻： 244  ページ： 133-138  発行年： 1993年 
JST資料番号： C0593B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM