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J-GLOBAL ID：200902169010867459   整理番号：93A0610208

高濃度SbドープCZ-Si結晶中の格子間酸素濃度及び酸素析出量の評価

Evaluation of interstitial oxygen concentration and oxygen precipitation in heavily Sb-doped CZ-Si crystal.

著者 (3件)： 北川原豊 (信越半導体) ,  市川雅志 (信越半導体) ,  竹中卓夫 (信越半導体)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 250  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高濃度 ,  Sb ,  ドープ ,  Si結晶 ,  格子 ,  酸素濃度 ,  酸素 ,  析出量 ,  評価