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J-GLOBAL ID：200902169197599720   整理番号：98A0005068

GaInNAs 長波長半導体レーザのための新しい材料

GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength Semiconductor Lasers.

著者 (8件)： KONDOW M (RWCP Optoelectronics Hitachi Lab., Tokyo, JPN) ,  KITATANI T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAKATSUKA S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  LARSON M C (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAKAHARA K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAZAWA Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OKAI M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UOMI K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 3  号： 3  ページ： 719-730  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題レーザ材料の特性と長波長レーザへの応用を以下の項目に関し...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaInNAs ,  長波 ,  半導体レーザ