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J-GLOBAL ID：200902169273813906   整理番号：02A0761489

半導体エレクトロニクス 走査型容量顕微鏡による半導体材料のサブミクロン評価

Semiconductor Electronics. Characterization of Semiconductor Materials at Sub-Micron Scale Using Scanning Capacitance Microscopy.

著者 (4件)： 内橋貴之 (姫路工大 工) ,  石塚義守 (姫路工大 工) ,  吉田晴彦 (姫路工大 工) ,  岸野正剛 (姫路工大 工)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 51  号： 9  ページ： 995-998  発行年： 2002年09月15日 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高感度容量センサをもつ接触モード原子間力顕微鏡を作製して,ナ...

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,...
準シソーラス用語： 走査型容量顕微鏡

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分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (7件)：

• GINNING, G. Rhys. Rev. Lett. 1982, 49, 57
• BINNING, G. Rhys. Rev. Lett. 1986, 56, 939
• WILLIAMS, C. C. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 1662
• MATELY, J. R. J. Appl. Phys. 1985, 57, 1437
• CHO, Y. Rev. Sci. Instrum. 1996, 67, 2297

タイトルに関連する用語 (5件)： エレクトロニクス ,  走査型容量顕微鏡 ,  半導体材料 ,  サブ ,  評価