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J-GLOBAL ID：200902169511617720   整理番号：96A0711807

電子を多量に放出する金属-酸化物-半導体電子トンネル陰極の実験

Experiments of highly emissive metal-oxide-semiconductor electron tunneling cathode.

著者 (5件)： YOKOO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOSHITA G (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANZAWA S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ABE Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NEO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 14  号： 3  ページ： 2096-2099  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiゲートMOS電子トンネル陰極におけるSiO<sub>2<...

シソーラス用語： MOS構造 ,...
準シソーラス用語： 平均自由行路 ,...

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分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  放出 ,  酸化物 ,  トンネル ,  陰極 ,  実験