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J-GLOBAL ID：200902170026147276   整理番号：98A0027762

低温で堆積したμc-Ge薄膜の高濃度Pドーピング効果

Effect of Heavy P-doping on Properties of .MU.c-Ge Films Deposited at Low Temperature.

著者 (4件)： 門前智也 (東海大) ,  牧孝介 (東海大) ,  中下俊夫 (東海大) ,  上原富美哉 (東海大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 2  ページ： 901  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  堆積 ,  Ge ,  薄膜 ,  高濃度 ,  ドーピング効果