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J-GLOBAL ID：200902170346442616   整理番号：01A0300425

Nd:YAGレーザで結晶化させた水素化非晶質シリコンの超逐次的横方向成長

Super sequential lateral growth of Nd:YAG laser crystallized hydrogenated amorphous silicon.

著者 (3件)： TANG Y F (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  SILVA S R P (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  ROSE M J (Dundee Univ., Dundee, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 2  ページ： 186-188  発行年： 2001年01月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長532nm,パルス幅3ns,反復率10HzのYAGレーザ...

シソーラス用語： YAGレーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Nd ,  YAGレーザ ,  結晶 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  逐次 ,  横方向成長