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J-GLOBAL ID：200902170667981179   整理番号：98A0297313

選択有機金属化学蒸着による二次元V形溝中に成長させた種付けした自己集合GaAs量子ドット

Seeded self-assembled GaAs quantum dots grown in two-dimensional V grooves by selective metal-organic chemical-vapor deposition.

著者 (3件)： ISHIDA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  WADA K (NTT System Electronics Lab., Kanawaga, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 7  ページ： 800-802  発行年： 1998年02月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着による量子ドット構造を作製するために種付けさ...

シソーラス用語： *自己組織系 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着 ,  V形溝 ,  成長 ,  種付け ,  自己集合 ,  GaAs ,  量子ドット