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J-GLOBAL ID：200902170690009972   整理番号：99A0931623

テラヘルツ帯応用のための低周波数雑音を抑圧したSchottky障壁ダイオード

Reduced Low-Frequency Noise Schottky Barrier Diodes for Terahertz Applications.

著者 (9件)： SUZUKI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YASUI T (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  FUJISHIMA H (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  NOZOKIDO T (Rutherford Appleton Lab.(RAL), Oxon, GBR) ,  ARAKI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  BORIC-LUBECKE O (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  LUBECKE V M (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  WARASHINA H (Sendai National Coll. Technol., Sendai, JPN) ,  MIZUNO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 47  号： 9,Pt.1  ページ： 1649-1655  発行年： 1999年09月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマなどの観測用にSchottky障壁ダイオードをテラヘ...

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ ,  応用 ,  低周波数雑音 ,  抑圧 ,  Schottky障壁ダイオード