GaAs(100)と(311)B基板上に成長したIn<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As量子ドットレーザ

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J-GLOBAL ID：200902170799603963 整理番号：99A0610326

GaAs(100)と(311)B基板上に成長したIn_0.5Ga_0.5As量子ドットレーザ

In_0.5Ga_0.5As quantum dot lasers grown on (100) and (311)B GaAs substrates.

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資料名：
巻： 201/202 ページ： 1139-1142 発行年： 1999年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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