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J-GLOBAL ID：200902170869318250   整理番号：99A0121622

Siウェハ再生方法の開発

Development of a Si Wafer Reclaiming Process.

著者 (4件)： 原宣宏 (神戸製鋼所) ,  鈴木哲雄 (神戸製鋼所) ,  井上秀敏 (Kobe Precision Inc.) ,  高田悟 (Kobe Precision Inc.)
資料名： R&D神戸製鋼技報  (R&D/神戸製鋼技報)
巻： 48  号： 3  ページ： 47-50  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： F0164A  ISSN： 0373-8868  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 多種類の膜の付いた使用済みテストウェハを少ない取り代で,かつ...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： *ラップ仕上

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ウェハ ,  開発