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J-GLOBAL ID：200902171154498827   整理番号：94A0675416

アモルファスけい素を通しての固有の,および熱誘起の交換結合

Intrinsic and Heat-Induced Exchange Coupling through Amorphous Silicon.

著者 (2件)： BRINER B (Eidgenoessische Technische Hochschule Zuerich, Zuerich, CHE) ,  LANDOLT M (Eidgenoessische Technische Hochschule Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 73  号： 2  ページ： 340-343  発行年： 1994年07月11日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファスけい素のスペーサによって隔てられた強磁性薄膜はS...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (1件)： 金属のランダム磁性  (BM06082T)

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファスけい素 ,  固有 ,  誘起 ,  交換結合