成長させたままおよび熱アニールしたGaAsN/GaAsの発光

FRANCOEUR S; SIVARAMAN G; QIU Y; NIKISHIN S; TEMKIN H

文献

J-GLOBAL ID：200902171620175618 整理番号：98A0424160

成長させたままおよび熱アニールしたGaAsN/GaAsの発光

Luminescence of as-grown and thermally annealed GaAsN/GaAs.

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資料名：
巻： 72 号： 15 ページ： 1857-1859 発行年： 1998年04月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOMBEでGaAs上に成長させたコヒーレント歪GaAsNの...

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半導体のルミネセンス

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