文献

J-GLOBAL ID：200902171722348509   整理番号：93A0627070

Si-C-N-O系における相平衡とSiCホイスカの成長速度の解析

Phase equilibria in the Si-C-N-O system and the kinetic analysis of silicon carbide whisker growth.

著者 (1件)： JHA A (Brunel Univ., Middlesex, GBR)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 28  号： 11  ページ： 3069-3079  発行年： 1993年06月01日 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCとSi₃N<sub>4</sub...

シソーラス用語： ホイスカ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0627070&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0722A") }}

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  相平衡 ,  SiC ,  ホイスカ ,  成長速度 ,  解析