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J-GLOBAL ID：200902171743497342   整理番号：94A0079069

Comparison of current and light induced defects in a-Si:H.

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著者 (3件)：
STREET R A

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(Xerox Palo Alto Research Center, CA)

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JACKSON W B

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(Xerox Palo Alto Research Center, CA)

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HACK M

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(Xerox Palo Alto Research Center, CA)

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資料名：
Amorphous Silicon Technology - 1993  (Amorphous Silicon Technology - 1993)

Amorphous Silicon Technology - 1993 について


ページ： 553-558  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930659  ISBN： 1-55899-193-X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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