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J-GLOBAL ID：200902171810189402   整理番号：02A0393543

高密度磁気ランダムアクセスメモリ用の垂直磁化薄膜を用いた磁気トンネル接合素子

Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization films for high-density magnetic random access memory.

著者 (7件)： NISHIMURA N (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  HIRAI T (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  KOGANEI A (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  IKEDA T (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  OKANO K (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  SEKIGUCHI Y (Canon, Inc., Tokyo, JPN) ,  OSADA Y (Canon, Inc., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 91  号： 8  ページ： 5246-5249  発行年： 2002年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を実現するために...

シソーラス用語： *磁性薄膜 ,...

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分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気ランダムアクセスメモリ ,  垂直磁化 ,  薄膜 ,  磁気トンネル接合素子