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J-GLOBAL ID：200902172146552380   整理番号：99A0341414

酸化タンタル,チタン酸バリウムストロンチウム,チタン酸鉛及びタンタル酸ストロンチウムビスマスのSchottky障壁高さ

Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate, lead titanate, and strontium bismuth tantalate.

著者 (2件)： ROBERTSON J (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  CHEN C W (Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 8  ページ： 1168-1170  発行年： 1999年02月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si又はSiO₂/Si基板上に成膜した...

シソーラス用語： 酸化タンタル ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化タンタル ,  チタン酸バリウムストロンチウム ,  チタン酸鉛 ,  タンタル酸ストロンチウムビスマス ,  Schottky障壁高さ