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J-GLOBAL ID：200902172162828689   整理番号：99A1032270

高温における短チャネルNMOSおよびPMOS 6H-炭化けい素トランジスタのパンチスルー

Punchthrough Behavior in Short Channel NMOS and PMOS 6H-Silicon Carbide Transistors at Elevated Temperatures.
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著者 (2件)：
LAM M P

LAM M P について

(Embedded Systems Technol. Lab., AZ, USA)

Embedded Systems Technol. Lab., AZ, USA について

, 
KORNEGAY K T

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(Cornell Univ., NY, USA)

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資料名：
IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies  (IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies)

IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies について


巻： 22  号： 3  ページ： 433-438  発行年： 1999年09月 
JST資料番号： H0255C  ISSN： 1521-3331  CODEN： ITCPFB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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*MOSFET

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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NMOS

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パンチスルー

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