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J-GLOBAL ID：200902172328970535   整理番号：01A0523877

マイクロ波電力増幅用の無ドープAlGaN/GaN HEMT

Undoped AlGaN/GaN HEMTs for Microwave Power Amplification.

著者 (9件)： EASTMAN L F (Cornell Univ., NY, USA) ,  TILAK V (Cornell Univ., NY, USA) ,  SMART J (Cornell Univ., NY, USA) ,  GREEN B M (Cornell Univ., NY, USA) ,  CHUMBES E M (Cornell Univ., NY, USA) ,  DIMITROV R (Cornell Univ., NY, USA) ,  KIM H (Cornell Univ., NY, USA) ,  AMBACHER O S (Cornell Univ., NY, USA) ,  SHEALY J R (Cornell Univ., NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 479-485  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： OMVPEとVPEを使い,電子表面密度1×10<sup>13...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： OMVPE ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロ波電力 ,  増幅 ,  ドープ ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT