文献

J-GLOBAL ID：200902172382788548   整理番号：98A0353211

α-SiC{0001}ファセット面のステップ構造

Stepped structure on the {0001} facet plane of α-SiC.

著者 (5件)： OHTANI N (Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN) ,  KATSUNO M (Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI J (Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN) ,  YASHIRO H (Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN) ,  KANAYA M (Nippon Steel Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 398  号： 3  ページ： L303-L307  発行年： 1998年02月20日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長させたままの6H及び4H-SiC象眼細工状{0001}フ...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0353211&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (2件)： SiC ,  ファセット