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J-GLOBAL ID：200902172597365826   整理番号：01A0967144

a-Si1-xCx:H薄膜作製と電気的及び光学的性質

Electrical and Optical properties of a-Si1-xCx:H Thin Films Prepared by RF plasma enhanced CVD.
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著者 (1件)：
谷田部喜久雄

谷田部喜久雄 について

(東京工高専)

東京工高専 について


資料名：
東京工業高等専門学校研究報告書  (Research Reports of Tokyo National College of Technology)

東京工業高等専門学校研究報告書 について


号： 33  ページ： 59-62  発行年： 2001年09月01日 
JST資料番号： S0722A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記薄膜をガス間欠導入プラズマCVD法により作製した。このC...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*非晶質半導体

非晶質半導体 について

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分類 (3件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  光伝導,光起電力 
(BM03050J)

光伝導,光起電力 について

,  光物性一般 
(BM08010A)

光物性一般 について

物質索引 (1件)：
物質索引
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メタン

メタン について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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薄膜作製

薄膜作製 について

, 
光学的性質

光学的性質 について


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