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J-GLOBAL ID:200902172625467923   整理番号:00A0086125

a-Si:H膜蒸着に用いるシランプラズマ中の原子状水素温度

Atomic hydrogen temperature in silane plasmas used for the deposition of a-Si:H films.
著者 (6件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 3197-3201  発行年: 1999年11月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標記プラズマ中の原子状水素の温度を二光子レーザ誘起蛍光法で測...
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半導体薄膜 
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