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J-GLOBAL ID：200902173021048635   整理番号：02A0501667

有機金属気相エピタクシーにより成長させたpダウンInGaN/GaN多重量子井戸発光ダイオード構造

P-Down InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diode Structure Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy.

著者 (8件)： KO C-H (National Cheng Kung Univ., Tanan, TWN) ,  SU Y-K (National Cheng Kung Univ., Tanan, TWN) ,  CHANG S-J (National Cheng Kung Univ., Tanan, TWN) ,  KUAN T-M (National Cheng Kung Univ., Tanan, TWN) ,  CHIANG C-I (Materials R&D Center Chung Shan Inst. Sci. & Technol., Taoyuan, TWN) ,  LAN W-H (Materials R&D Center Chung Shan Inst. Sci. & Technol., Taoyuan, TWN) ,  LIN W-J (Materials R&D Center Chung Shan Inst. Sci. & Technol., Taoyuan, TWN) ,  WEBB J (National Res. Council, Canada, Ottawa, CAN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 4B  ページ： 2489-2492  発行年： 2002年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転した,あるいは,pダウンInGaN/GaN多重量子井戸(...

シソーラス用語： インジウム化合物 ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (6件)：

• 1) S. Nakamura: J. Cryst. Growth 145 (1994) 911.
• 2) R. H. Hon and W. H. Lan: CSIST Ann. Rep. (2000) [in Chinese].
• 3) T. Yamamoto and H. J. Katayama-Yoshida: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 532.
• 4) K. S. Kim, G. M. Yang and H. J. Lee: Solid-State Electron. 43 (1999) 1807.
• 5) H. M. Chung, W. C. Chuang, Y. C. Pan, C. C. Tsai, M. C. Lee, W. H. Chen, W. K. Chen, C. I. Chiang, C. H. Lin and H. Chang: J. Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 897.

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  発光ダイオード