文献
J-GLOBAL ID:200902173039124304
整理番号:93A0610083
GaAsのプラズマエッチングダメージのPR法による評価 (II) 低温アニール効果
Photoreflectance study on plasma etching damage in GaAs. (II). Effect of low temperature annealing.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0610083©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0610083&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}