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J-GLOBAL ID：200902173042166883   整理番号：01A1076257

トンネル接合での界面の電子状態と磁気抵抗

Interfacial electronic states and magnetoresistance in tunnel junctions.

著者 (2件)： ITOH H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  INOUE J (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 493  号： 1/3  ページ： 748-756  発行年： 2001年11月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性体トンネル接合(FTJ)のトンネル磁気抵抗(TMR)と...

シソーラス用語： *トンネル接合 ,...
準シソーラス用語： 界面準位

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分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  磁性理論  (BM06020X)

タイトルに関連する用語 (4件)： トンネル接合 ,  界面 ,  電子状態 ,  磁気抵抗