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J-GLOBAL ID：200902173127646132   整理番号：93A0510849

研磨した〈100〉GaAs表面に成長させたGaAs酸化物のすれすれ入射EXAFS研究

Glancing-Angle EXAFS Study of GaAs Oxides Grown on Polished 〈100〉 GaAs Surfaces.

著者 (5件)： PROIETTI M G (Univ. Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  GARCIA RUIZ J (Univ. Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  CHABOY J (INFN, Frascati, ITA) ,  MORIER-GENOUD F (Ecole Politechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MARTIN D (Ecole Politechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Supplement  (Japanese Journal of Applied Physics. Supplement)
号： 32-2  ページ： 416-418  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： F0885B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3種類の方法(化学エッチング後に大気中に曝露,大気中で250...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： FEFF ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の構造決定法  (BK01070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 研磨 ,  GaAs ,  成長 ,  酸化物 ,  すれすれ入射 ,  EXAFS ,  研究