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J-GLOBAL ID：200902173590920308   整理番号：01A0527068

GaN:Erに及ぼす炭素ドーピングの効果

Effect of carbon doping on GaN:Er.

著者 (6件)： OVERBERG M (Univ. Florida, FL, USA) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, FL, USA) ,  MACKENZIE J D (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  WILSON R G (Stevenson Ranch, CA, USA) ,  ZAVADA J M (U.S. Army European Res. Office, London, GBR)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B81  号： 1/3  ページ： 121-126  発行年： 2001年04月24日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN:Er膜へのC添加が光ルミネセンス(PL)と表面構造に...

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  Er ,  炭素ドーピング