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J-GLOBAL ID：200902173736205975   整理番号：94A0872085

優れた炭化けい素エレクトロニクスのためのサイト競合エピタクシー

Site-competition epitaxy for superior silicon carbide electronics.

著者 (4件)： LARKIN D J (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  NEUDECK P G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 65  号： 13  ページ： 1659-1661  発行年： 1994年09月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範囲に再現性良くドーピング濃度が制御できる「サイト競合エピ...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： サイト競合エピタクシー

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分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化けい素 ,  エレクトロニクス ,  競合 ,  エピタクシー