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J-GLOBAL ID：200902173792755325   整理番号：93A0648896

256M用0.25μmEB直描技術 (3) レジストプロセス技術

0.25μm EB Direct Writing Technique for 256MbitDRAM. (3). Resist Process Technique.

著者 (4件)： 平沢聡美 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研) ,  中島謙 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研) ,  小島義克 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研) ,  相崎尚昭 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 557  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： 直描 ,  レジスト ,  プロセス