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J-GLOBAL ID：200902173811440039   整理番号：93A0724755

非平面基板上にMBE成長させたGaAs/AlGaAsリッジ量子井戸細線の光学的特性

Optical characteristics of GaAs/AlGaAs ridge-quantum-well-wires grown by MBE on nonplanar substrates.

著者 (3件)： QIAN Y (Inst. Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  CHEN L (Inst. Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  WANG Q (Inst. Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 87  号： 4  ページ： 285-288  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のフォトリソグラフィーと湿式化学エッチングを用いて,Ga...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： リッジ量子細線

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  リッジ ,  量子井戸 ,  細線 ,  光学的特性