文献

J-GLOBAL ID：200902174071756840   整理番号：02A0682941

多結晶シリコンゲート堆積とHfO₂及びAl₂O₃/HfO₂ゲート絶縁体とのコンパチビリティー

Compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with HfO₂ and Al₂O₃/HfO₂ gate dielectrics.

著者 (9件)： GILMER D C (Motorola, Texas) ,  HEGDE R (Motorola, Texas) ,  COTTON R (Motorola, Texas) ,  GARCIA R (Motorola, Texas) ,  DHANDAPANI V (Motorola, Texas) ,  TRIYOSO D (Motorola, Texas) ,  ROAN D (Motorola, Texas) ,  FRANKE A (Motorola, Texas) ,  TOBIN P (Motorola, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 7  ページ： 1288-1290  発行年： 2002年08月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVDによる多結晶SiゲートプロセスとHfO<sub>2<...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0682941&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶シリコン ,  ゲート ,  堆積 ,  HfO2 ,  Al2O3 ,  ゲート絶縁体