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J-GLOBAL ID：200902174105339070   整理番号：99A0567330

交換相互作用でバイアスした磁気トンネル接合とその不揮発性磁気ランダムアクセスメモリへの応用(招待)

Exchange-biased magnetic tunnel junctions and application to nonvolatile magnetic randon access memory(invited).

著者 (9件)： PARKIN S S P (IBM Res. Div., California) ,  ROCHE K P (IBM Res. Div., California) ,  SAMANT M G (IBM Res. Div., California) ,  RICE P M (IBM Res. Div., California) ,  BEYERS R B (IBM Res. Div., California) ,  SCHEUERLEIN R E (IBM Storage Div., California) ,  O’SULLIVAN E J (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  BROWN S L (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  GALLAGHER W J (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 85  号： 8, Pt.2B  ページ： 5828-5833  発行年： 1999年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気トンネル接合(MTJ)素子を開発した。室温で40%を越え...

シソーラス用語： *トンネル接合 ,...
準シソーラス用語： 磁気RAM【メモリ】

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 交換相互作用 ,  磁気トンネル接合 ,  不揮発性 ,  磁気ランダムアクセスメモリ ,  応用