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J-GLOBAL ID：200902174138442195   整理番号：97A0858444

配向性の異なる基板への高品質4H-SiCの成長

High quality 4H-SiC grown on various substrate orientations.

著者 (8件)： HENRY A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  IVANOV I G (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  EGILSSON T (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HALLIN C (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  ELLISON A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KORDINA O (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  LINDEFELT U (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 6  号： 10  ページ： 1289-1292  発行年： 1997年08月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 配向性の異なる基板に厚さ10μmの4H-SiCをCVD成長さ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向性 ,  高品質 ,  4H-SiC ,  成長