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J-GLOBAL ID：200902174523771086   整理番号：97A0004741

非駆動セルプレート線書き込み/読取り方式による60ns 1Mビット不揮発性強誘電体メモリ

A 60-ns 1-Mb Nonvolatile Ferroelectric Memory with a Nondriven Cell Plate Line Write/Read Scheme.

著者 (9件)： KOIKE H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  OTSUKI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KIMURA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKUMA M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAEJIMA Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  AMANUMA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANABE N (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKADA M (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 31  号： 11  ページ： 1625-1634  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メガビット級不揮発性強誘電体RAM(NVFRAM)を実現する...

シソーラス用語： 強誘電半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： セル ,  書き込み ,  読取り ,  ビット ,  不揮発性 ,  強誘電体メモリ