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J-GLOBAL ID：200902174560323263   整理番号：96A0947861

半導体ウェハのスリップ発生臨界熱応力:アンドープ半絶縁性GaAs,SiドープGaAs,Siウェハ

Critical Thermal Stress for Slipline Generation of undoped Sl-GaAs, Si-doped GaAs, and Si wafers.

著者 (3件)： 木山誠 (住友電気工業 伊丹研) ,  武部敏彦 (住友電気工業 伊丹研) ,  藤田慶一郎 (住友電気工業 伊丹研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 0  ページ： 1187  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： ウェハ ,  スリップ ,  臨界 ,  熱応力 ,  半絶縁性 ,  GaAs ,  Si ,  ドープ