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J-GLOBAL ID：200902174811193020   整理番号：96A0932390

“重水素プロセスによる金属-酸化物-半導体トランジスタのホットエレクトロン劣化の低下”に対するコメント

Comment on “Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing” [Appl. Phys. Lett. 68, 2526 (1996)].

著者 (2件)： VAN DE WALLE C G (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  JACKSON W B (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 16  ページ： 2441  発行年： 1996年10月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近LydingらはSi/SiO₂界面...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 重水素 ,  プロセス ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  ホットエレクトロン ,  コメント