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J-GLOBAL ID：200902174812771655   整理番号：94A0089322

Rカットサファイア基板上の配向VO₂薄膜のパルスレーザ蒸着

Pulsed laser deposition of oriented VO₂ thin films on R-cut sapphire substrates.

著者 (4件)： BOREK M (Univ. Florida, Florida) ,  QIAN F (Univ. Florida, Florida) ,  NAGABUSHNAM V (Univ. Florida, Florida) ,  SINGH R K (Univ. Florida, Florida)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 63  号： 24  ページ： 3288-3290  発行年： 1993年12月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化バナジウム系はV₄OからV<sub...

シソーラス用語： 酸化バナジウム ,...
準シソーラス用語： 半導体-金属転移

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  配向 ,  VO2 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着